含嵌入式量子点的高品质因子AlGaAs微盘谐振腔的光学损耗与激光特性
量子物理
2009-11-10 v1 光学
摘要
介绍了具有量子点有源区的AlGaAs微盘谐振腔的光学表征。利用基于光纤的探测技术，在相对于量子点发射波长（lambda~1200 nm）红失谐的波长（lambda~1400 nm）处，对嵌入InAs/InGaAs dots-in-a-well (DWELL)的AlGaAs微盘谐振结构内的光学损耗进行直接无源测量。对直径D = 4.5微米的微盘在1400 nm波段的测量表明，这些结构支持冷腔品质因子高达360,000的模式。随后通过室温光泵浦研究含DWELL的微盘。对于含单层InAs点的腔，观察到lambda ~ 1200 nm的脉冲激光，阈值约17微瓦，接近估计的材料透明水平。同时也观察到室温连续波运转。
引用
@article{arxiv.quant-ph/0412085,
title = {Optical loss and lasing characteristics of high-quality-factor AlGaAs microdisk resonators with embedded quantum dots},
author = {Kartik Srinivasan and Matthew Borselli and Thomas J. Johnson and Paul E. Barclay and Oskar Painter and Andreas Stintz and Sanjay Krishna},
journal= {arXiv preprint arXiv:quant-ph/0412085},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures