AlInAs 微盘中的无应变 InP(As) 量子点激子激光
光学
2017-04-07 v1
摘要
利用透射电子显微镜和光致发光 (PL) 技术，研究了嵌入 AlInAs 微盘 (MD) 腔中的无应变 InP(As)/AlInAs 量子点 (QDs) 的形成、发射和激光特性。在 MD 结构中，具有纳米薄饼形状的量子点高度约为 2 nm，横向尺寸为 20-50 nm，密度约为 5x109 cm-2。在约 940 nm 处观察到的发射显示出强烈的温度猝灭，这表明存在激子分解。它还显示出意想不到的 I 型特征，表明存在 In-As 互混，这一点已通过能带结构计算得到证实。我们观察到了 InP(As) 量子点激子在直径约 3.2 m 的 MD 中激射进入回音壁模式，提供了约 27 nm 的自由光谱范围和高达 Q~13000 的品质因数。对该 MD-QD 系统测得的阈值约为 50 W/cm2，自发辐射耦合系数约为 0.2。
引用
@article{arxiv.1704.01635,
title = {Excitonic lasing of strain-free InP(As) quantum dots in AlInAs microdisk},
author = {D. V. Lebedev and M. M. Kulagina and S. I. Troshkov and A. A. Bogdanov and A. S. Vlasov and V. Yu. Davydov and A. N. Smirnov and J. L. Merz and J. Kapaldo and A. Gocalinska and G. Juska and S. T. Moroni and E. Pelucchi and D. Barettin and S. Rouvimov and A. M. Mintairov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.01635},
year = {2017}
}