含 InGaAs/AlAs 共振隧穿二极管的 InGaAlAs 光波导在 1550 nm 附近的光调制
光学
2007-05-23 v2
摘要
我们报道了在含 InGaAs/AlAs 双势垒共振隧穿二极管（DB-RTD）的单极 InGaAlAs 光波导中， around 1550 nm 光线的电吸收调制。RTD 的峰谷转变增加了波导两端的电场，通过 Franz-Keldysh 效应将纤芯材料吸收带边移至更长波长，从而改变波导的导光特性。器件的低频表征显示，在 1565 nm 处调制高达 28 dB。当直流偏置接近负微分电导（NDC）区时，RTD 光波导表现为集成了宽带电气放大器的电吸收调制器，相对于传统 pn 调制器具有潜在优势。
引用
@article{arxiv.physics/0503152,
title = {Optical modulation at around 1550 nm in a InGaAlAs optical waveguide containing a InGaAs/AlAs resonant tunnelling diode},
author = {J. M. L. Figueiredo and A. R. Boyd and C. R. Stanley and C. N. Ironside and S. G. McMeekin and A. M. P. Leite},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0503152},
year = {2007}
}
备注
11 pages