GaAs 和 AlGaAs 微腔中与波长和材料相关的吸收
光学
2009-11-13 v2
摘要
我们追踪了几乎相同的 GaAs 和 Al_{0.18}Ga_{0.82}As 微盘中的模式品质因数，覆盖了以 980 nm、1460 nm 和 1600 nm 为中心的三个波长范围，在 1600 nm 波段测得的品质因数高达 6.62x10^5。在考虑表面散射后，剩余损耗归因于体材料和表面的亚带隙吸收。我们观察到，AlGaAs 中的吸收平均比 GaAs 高 80%，并且在两种材料中，980 nm 处的吸收比 1600 nm 处高 540%。
引用
@article{arxiv.physics/0610200,
title = {Wavelength- and material-dependent absorption in GaAs and AlGaAs microcavities},
author = {C. P. Michael and K. Srinivasan and T. J. Johnson and O. Painter and K. H. Lee and K. Hennessy and H. Kim and E. Hu},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0610200},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures, 1 table, minor changes to disucssion of Qrad and Urbach tail