量子霍尔区制下电子 Fabry-Perot 干涉仪的制备
介观与纳米尺度物理
2014-01-10 v1
摘要
本文提出了一种电子量子霍尔 Fabry-Perot 干涉仪（FPI）的制备方法。我们的方法结合了电子束光刻和低损伤干法刻蚀技术来制备 FPI，并最大限度地减少了器件附近电荷陷阱的激发或杂质的沉积。通过系统地改变刻蚀深度并在分段刻蚀过程中监测器件电阻，实现了量子点接触（QPC）的优化。当获得所需的电阻值时即停止刻蚀。通过在刻蚀区域内通过电子束蒸发沉积金属栅极，实现了对干涉轨迹更精细的控制。我们的方法允许通过调节量子点接触的约束势，来控制量子阱附近敏感的势能弯曲。
引用
@article{arxiv.1401.1897,
title = {Fabrication of Electronic Fabry-Perot Interferometer in the Quantum Hall Regime},
author = {Sanghun An and Simas Glinskis and Woowon Kang and Leo Ocola and Loren Pfeiffer and Ken West and Kirk Baldwin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.1897},
year = {2014}
}
备注
3 pages, 3 figures