类型 I 与倾斜 Dirac 半导体的量子临界性

我们研究了倾斜二维 Dirac 费米子在类型 I 相以及在类型 I 与类型 II 半导体之间的 Lifshitz 转变处的铁磁对称性破缺相变的普遍性。在后者情况下，费米面从点状改变为具有电子和空穴压缩袋的一种，它们在过倾斜 Dirac 锥之间相互接触。我们计算了由倾斜 Dirac 费米子对长程序参量涨落的 Landau 阻尼，并将所得的 IR 传子作为输入进行 Gross-Neveu-Yukawa 场论的重整序群分析。我们首先展示了倾斜类型 I 费米子的临界性由一条固定点线控制，其上的重整化 Green 函数的极点对应于具有可变各向异性的非倾斜 Dirac 谱。在相变处，Lorentz 不变性得以恢复，导致与常规 Dirac 系统相同的临界指数。多重临界点给出该固定点线的终点。它可以沿着任何避免该临界类型 I 半导体固定点线的路径来接近。我们显示，在 Lifshitz 点处的临界指数不同，Lorentz 不变性被破坏。