直接在聚合物箔上生长 PtSe2 用作稳健压阻传感器
应用物理
2019-03-29 v1 材料科学
摘要
通过将 PtSe2 层直接生长在柔性聚酰亚胺箔上，制备了稳健应变片。这些 PtSe2 层是通过对预沉积 Pt 层进行低温热辅助转化生长的。在施加弯曲时，PtSe2 层显示出电阻下降，表明其具有负应变系数。研究了生长温度和薄膜厚度对 PtSe2 层机电性能的影响。所制备的性能最优的应变片具有优于商用金属基应变片的应变系数。值得注意的是，该应变片具有良好的循环性能且非常稳健，可承受反复剥离测试和水浸。此外，初步结果表明该应变片还具有高频工作的潜力。这一系列优异特性，加之进一步优化和沟道图形化的可能性，表明直接在聚酰亚胺上生长的 PtSe2 在未来应用中极具前景。
引用
@article{arxiv.1903.11894,
title = {PtSe2 grown directly on polymer foil for use as a robust piezoresistive sensor},
author = {Conor S. Boland and Cormac Ó Coileáin and Stefan Wagner and John B. McManus and Conor P. Cullen and Max C. Lemme and Georg S. Duesberg and Niall McEvoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.11894},
year = {2019}
}