GaAs 高速电子器件制造中基于 KPFM 辅助的非破坏性质量控制
仪器与探测器
2022-12-06 v1
摘要
本文报道一种可用于 GaAs 高速电子器件制造的非破坏性质量控制方法。该方法依赖于表面电势映射，并能够对集成于复杂集成电路中的有源电子器件的输运特性进行严格原位分析。该研究受我们正在开发的用于 6G 通信的毫米波智能反射面所启发。为提供所需波束赋形能力，此类反射面应利用数百个相同的微尺度 GaAs 二极管开关，其串联电阻为几欧姆。因此，我们开发了重掺 Si 的 GaAs 上的梯形层状欧姆接触，并通过传输线法与开尔文探针力显微镜进行交叉研究。测得接触电阻率低至 0.15~cm，对应 33~m 接触面积下仅 0.6~ 电阻。此外，观察到的趋势表明，一旦已知跨“梯形”结构的表面电势图，便可严格分析接触电阻的演化及接触下电阻率的分布随快速热退火的响应。
引用
@article{arxiv.2212.01474,
title = {Nondestructive KPFM-assisted Quality Control in Fabrication of GaAs High-Speed Electronics},
author = {Alexander Shurakov and Natalia Kaurova and Ivan Belikov and Tatyana Zilberley and Anatoliy Prikhodko and Boris Voronov and Gregory Gol'tsman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.01474},
year = {2022}
}