位错的非厄米趋肤效应及其拓扑起源
介观与纳米尺度物理
2021-12-16 v2
摘要
我们证明，二维非厄米系统中的位错可通过大量状态的局域化引起密度累积或耗散。在原型格点模型中通过数值模拟展示了这些效应，并将非厄米趋肤效应从对边界的需求中解耦，从而揭示其不同面貌。我们确定了导致位错趋肤效应的拓扑不变量，其形式为依赖于刻画位错的伯格斯矢量的 Hopf 指数。值得注意的是，我们发现该效应及其在厄米系统中对应的缺陷特征超出了基于体-缺陷对应的已知拓扑分类。
引用
@article{arxiv.2106.04567,
title = {Non-Hermitian skin effect of dislocations and its topological origin},
author = {Balaganchi A. Bhargava and Ion Cosma Fulga and Jeroen van den Brink and Ali G. Moghaddam},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.04567},
year = {2021}
}
备注
6+4 pages, 2+2 figures