非厄米位错模式：跨越例外点的稳定性与熔化

传统体-边界对应保证了绝缘体和节点拓扑材料边缘与表面处的鲁棒无能隙模式，在非厄米（NH）系统中这一对应被趋肤效应掩盖，表现为宏观数量态在此类界面附近的聚集。此处我们表明，位错晶格缺陷不受此种趋肤效应影响，或至多表现出\emph{弱}趋肤效应（取决于其相对于伯格斯矢量的取向），因此它们在 NH 系统的体相中支持鲁棒拓扑模式，特别是当母厄米相在有限动量处呈现能带反转时。然而，当系统接近例外点时，位错模式逐渐失去其核心处的支撑，并最终在 NH 能隙闭合时熔化为系统的边界。我们针对二维 NH 陈绝缘体明确展示了这些发现，从而确立位错晶格缺陷可用于实验探测原始 NH 拓扑。