自由边界条件下二维伊辛模型中的亚稳定性

我们研究了低温下具有自由边界条件的方形二维伊辛模型中的亚稳定性。从所有自旋向下的小正磁场状态出发，我们证明了从该亚稳相的逃逸是通过在系统四个角之一成核一个临界液滴而发生的。我们在 $T\to 0$、$h\to 0$ 的极限下解析地计算了亚稳相的寿命，并通过在固定 $T$ 和 $h$ 值下的蒙特卡洛模拟进行了计算，两者吻合良好。该系统模拟了磁存储系统中边界域在施加小外场时从亚稳相退出的效应。