拓扑绝缘体候选材料 TaSe3 中的巨磁阻
材料科学
2020-09-14 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在我们高达 38 T 的高场测量中，在拓扑绝缘体候选材料 TaSe3 中观察到量级约为 1000% 的未饱和巨磁阻（XMR）。在我们的 Shubnikov-de Haas（SdH）测量中检测到两种振荡模式，分别对应于块体中的一个空穴袋和两个电子袋，这与我们的第一性原理计算一致。通过详细的霍尔测量，我们的两带模型分析显示不完美的密度比 n_h/n_e 在 T< 20 K 时接近 0.9，这表明载流子补偿是 TaSe3 中 XMR 的原因。
引用
@article{arxiv.2003.00452,
title = {Large Magnetoresistance in Topological Insulator Candidate TaSe3},
author = {Yong Zhang and Tongshuai Zhu and Haijun Bu and Zixiu Cai and Chuanying Xi and Bo Chen and Boyuan Wei and Dongjing Lin and Hangkai Xie and Muhammad Naveed and Xiaoxiang Xi and Fucong Fei and Haijun Zhang and Fengqi Song},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.00452},
year = {2020}
}