YSb 中极端磁阻的独特电子结构
强关联电子
2016-12-28 v1 材料科学
摘要
最近在几种非磁性半金属中观察到了极端磁阻（XMR）。越来越多的实验和理论证据表明，XMR 可能由拓扑保护或电子-空穴补偿驱动。在此，通过研究 XMR 材料 YSb 的电子结构，我们提供了一种特殊情况的光谱学证据，该情况既缺乏拓扑保护，也缺乏完美的电子-空穴补偿。进一步的研究表明，电子与空穴迁移率之间的显著差异与适度的载流子补偿的协同作用，可能导致了 YSb 中的 XMR。
引用
@article{arxiv.1607.07855,
title = {Distinct Electronic Structure for the Extreme Magnetoresistance in YSb},
author = {Junfeng He and Chaofan Zhang and Nirmal J. Ghimire and Tian Liang and Chunjing Jia and Juan Jiang and Shujie Tang and Sudi Chen and Yu He and S. -K. Mo and C. C. Hwang and M. Hashimoto and D. H. Lu and B. Moritz and T. P. Devereaux and Y. L. Chen and J. F. Mitchell and Z. -X. Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.07855},
year = {2016}
}