具有不饱和磁电阻的补偿半金属LaSb
介观与纳米尺度物理
2016-09-20 v2 材料科学
摘要
通过结合角分辨光电子能谱与量子振荡测量，我们对LaSb的电子结构进行了全面研究，该材料在高达40 T的磁场下表现出近二次方的极大磁电阻(XMR)且无任何饱和迹象。我们清晰分辨出布里渊区(BZ)中心处一个球形和一个相交椭球形的空穴费米面(FSs)，以及BZ边界处一个椭球形的电子费米面。由封闭费米面体积计算得到的空穴与电子载流子完全补偿，且载流子补偿不受温度影响。我们进一步揭示LaSb为拓扑平庸，但在体电子结构上与Weyl半金属TaAs家族有许多相似之处。基于这些结果，我们检验了迄今为止为解释半金属中近二次方XMR所提出的机制。
引用
@article{arxiv.1604.08142,
title = {Compensated semimetal LaSb with unsaturated magnetoresistance},
author = {L. -K. Zeng and R. Lou and D. -S. Wu and Q. N. Xu and P. -J. Guo and L. -Y. Kong and Y. -G. Zhong and J. -Z. Ma and B. -B. Fu and P. Richard and P. Wang and G. T. Liu and L. Lu and Y. -B. Huang and C. Fang and S. -S. Sun and Q. Wang and L. Wang and Y. -G. Shi and H. M. Weng and H. -C. Lei and K. Liu and S. -C. Wang and T. Qian and J. -L. Luo and H. Ding},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.08142},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 3 figures