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具有扩展粒子的非均匀排除过程:缺陷位置的影响

统计力学 2008-05-21 v1

摘要

我们研究了局部非均匀性(即跃迁速率 q<1q<1 的慢速位点)对大小为 1\ell \geq 1(以晶格间距为单位)粒子的全不对称简单排除过程(TASEP)的影响。我们比较了 =1\ell =1>1\ell >1 的模拟结果,发现局部缺陷的存在对稳态具有定性相似的影响。我们重点关注稳态电流以及密度分布。如果系统中只有一个慢速位点,我们观察到对于 =1\ell =1>1\ell >1 两种情况,电流都显著依赖于慢速位点的\emph{位置}。当引入两个慢速位点时,会出现更有趣的现象,例如当两个位点靠近时电流急剧下降。此外,我们研究了 q0q\to 0 时的渐近行为。我们还探讨了相关的密度分布,并将我们的发现与早期使用简单平均场理论的研究进行了比较。最后,我们概述了这些效应的生物学意义。

关键词

引用

@article{arxiv.0710.3865,
  title  = {Inhomogeneous exclusion processes with extended objects: The effect of defect locations},
  author = {J. J. Dong and B. Schmittmann and R. K. P. Zia},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0710.3865},
  year   = {2008}
}

评论

14 pages; 14 figures

R2 v1 2026-06-29T04:58:25.558Z