带电膨胀黑洞的全息术

我们研究了$AdS_4$中的带电膨胀黑洞膜。我们的系统涉及一个膨胀子$\phi$与一个麦克斯韦场$F_{\mu\nu}$耦合，且规范耦合常数依赖于膨胀子：${1\over g^2} = f^2(\phi)$。首先，我们通过解析和数值相结合的方法找到了极端和近极端膜的解。在$f(\phi) = e^{\alpha\phi}$的最简单情况下，近视界几何是类Lifshitz的，其动力学指数$z$由$\alpha$决定。黑洞热力学随$\alpha$以有趣的方式变化，但在所有情况下，近极端解的熵为零且比热为正。然后，我们计算了这些背景下的电导率。我们发现，有点令人惊讶的是，在T=0时，交流电导率像$\omega^2$一样消失，与$\alpha$无关。我们还探索了其他几类规范耦合函数$f(\phi)$的带电黑洞膜物理。除了在AdS/CMT中的可能应用外，极端黑洞膜从吸引子机制的角度来看也很有意义。这些膜的近视界几何是普适的，独立于模量的渐近值，并描述了与$AdS_2\times R^2$不同的吸引子流终点的一般类别。