基于氧化还原的阻变存储器件的分数阶 Marcus-Hush-Chidsey-Yakopcic 电流-电压模型
材料科学
2024-02-01 v2 应用物理
摘要
我们提出了一个电路级模型，该模型结合了 Marcus-Hush-Chidsey 电子电流方程和用于状态变量的 Yakopcic 方程，以描述金属-离子导体-金属结构的阻变存储器件。我们通过引入一个介于零和一之间的任意阶分数阶导数，扩展了原本由一阶时间导数描述的状态变量动力学。我们证明，该扩展模型能够以极高的保真度拟合在具有 Ag-Cu 合金的 Si 电化学金属化存储器件上获得的电流-电压特性数据。
引用
@article{arxiv.2302.09407,
title = {Fractional Marcus-Hush-Chidsey-Yakopcic current-voltage model for redox-based resistive memory devices},
author = {Georgii Paradezhenko and Dmitrii Prodan and Anastasiia Pervishko and Dmitry Yudin and Anis Allagui},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.09407},
year = {2024}
}
备注
7 pages, 3 figures