由平均反射对称性导致的扩展拓扑群结构
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v2
摘要
我们将绝缘体和超导体的单粒子拓扑分类扩展到包含无序保留平均反射对称性的系统。我们证明，当满足这一附加条件时，体哈密顿量和拓扑缺陷的拓扑群结构呈指数级扩展，并考察了其部分物理后果。这些后果包括具有相同边界电导的拓扑相之间的局域化-退局域化转变，以及由平均反射对称性稳定的无能隙拓扑缺陷。
引用
@article{arxiv.1412.3014,
title = {Extended topological group structure due to average reflection symmetry},
author = {M. Diez and D. I. Pikulin and I. C. Fulga and J. Tworzydlo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.3014},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 5 figures, 1 table; improved section 4 "Extended topological classification" incl. example of stacked QSH layers