利用EDX对原子级分辨HAADF-STEM图像进行实验定量表征
材料科学
2020-11-09 v1
摘要
通过对HAADF-STEM中的衬度进行定量表征,获得了InGaN/GaN多量子阱结构中铟组分的原子级分辨图谱。此处提出的定量方法不依赖于计算密集的模拟,而是利用EDX测量来校准HAADF-STEM衬度。由图谱得到的铟组分直方图对InGaN的生长提供了独特见解:从GaN到InGaN以及反向的转变以离散的组分增量发生;每一增量对应于界面的一单层,表明成核时间长于台阶的横向生长。还通过对衬度定量识别出的原子柱位置应用峰对分析(Peak-Pair Analysis)进行了应变态分析。应变图谱给出的组分估计与由定量HAADF-STEM所得结果吻合良好,尽管精度较低。讨论了提高应变图谱精度的可能改进,为原子尺度上任意四元合金的定量表征开辟了潜在途径。
引用
@article{arxiv.2011.03387,
title = {Experimental quantification of atomically-resolved HAADF-STEMimages using EDX},
author = {Konstantinos Pantzas and Gilles Patriarche},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.03387},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 4 figures