掺杂匹配门电路中非通用纠缠结构的涌现
量子物理
2025-07-18 v1 统计力学
强关联电子
摘要
自由费米子高斯型,即匹配门(matchgate)随机电路表现出与典型相互作用系统不同的特殊行为。它们产生异常缓慢的纠缠增长,特征为扩散标度,并在滞后时演化为体积定律纠缠态,且对测量极不稳定。本文考察了通过掺杂非高斯资源(门)如何恢复此类电路的纠缠结构。我们证明,在注入广泛总量的非高斯门后,球形纠缠增长得以恢复,同时恢复Kardar-Parisi-Zhang波动。当演化受测量扰动时,我们发现,在掺杂控制下,出现一种面积定律与幂律纠缠相之间的测量诱导相变,,其中由掺杂程度决定。只有当非高斯门以广泛速率注入时,才会恢复真正的体积定律纠缠相。我们的发现桥接了自由费米子系统与相互作用费米子系统的动力学,确定了非高斯性作为驱动非可积行为涌现的关键资源。
引用
@article{arxiv.2507.12526,
title = {Emergence of Generic Entanglement Structure in Doped Matchgate Circuits},
author = {Alessio Paviglianiti and Luca Lumia and Emanuele Tirrito and Alessandro Silva and Mario Collura and Xhek Turkeshi and Guglielmo Lami},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.12526},
year = {2025}
}
备注
10 pages, 4 figures