磁控溅射 ITO 薄膜的元素分布与氧缺陷
材料科学
2012-10-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 研究了非界面 ITO 及 ITO-Si 界面的原子结构和成分。薄膜通过直流磁控溅射沉积在单晶 p 型 (100) Si 晶圆上。沉积态和热处理后的薄膜均由结晶 ITO 组成。ITO/Si 界面显示出更复杂的成分。XPS 观测发现，在 ITO/Si 界面处存在一层薄的 SiO，以及 In 和 Sn 纳米团簇，还有高度缺氧区域。对该区域的高能电子暴露使 In 纳米团簇结晶，同时增加了 SiO 界面层的厚度。
引用
@article{arxiv.1210.0035,
title = {Elemental distribution and oxygen deficiency of magnetron sputtered ITO films},
author = {Annett Thøgersen and Margrethe Rein and Edouard Monakhov and Jeyanthinath Mayandi and Spyros Diplas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.0035},
year = {2012}
}