带电黑膜的 electroelasticity

我们通过获得极 - 偶极子阶的运动方程的一般形式，提出了携带高形式电荷的流体膜的一阶修正动力学。假设线性响应理论，我们用两组响应系数（杨氏模量和压电模量）表征了静止弯曲带电（各向同性/各向异性）流体膜的有效理论。随后，我们通过在一阶导数展开中构造静止应变带电黑膜解，在引力中找到了该有效理论的大量实例。利用解生成技术和弯曲中性黑膜作为种子解，我们在 Einstein-Maxwell-dilaton 引力中获得了一类携带涂抹 Maxwell 电荷的带电黑膜几何结构。在十维时空的特定情况下，我们进一步利用 T-对偶生成了携带高形式电荷的弯曲黑膜，包括 II 型弦论中的涂抹 D-膜。通过随后测量这些几何结构因应变而获得的弯矩和电偶极矩，我们发现其形式可由经典 electroelasticity 理论描述。特别是，我们发现应变带电黑膜解的杨氏模量和压电模量由总共 4 个响应系数参数化，适用于各向同性和各向异性情况。