局部缺陷对一维非线性表面生长的影响

慢键问题是一个长期存在的问题，探讨具有全局影响的局部缺陷对 Kardar--Parisi--Zhang (KPZ) 普适类的最小强度 $\epsilon_\mathrm{c}$。由于声称 $\epsilon_\mathrm{c} = 0$ 的各种解析预测与声称 $\epsilon_\mathrm{c} > 0$ 的数值观测之间存在差异，对该问题的共识被推迟。我们通过对慢键效应的有限尺寸标度分析重新审视了这一问题，并通过广泛的 Monte Carlo 模拟在不同边界条件下进行了测试。我们的结果提供了证据，表明先前报告的非零 $\epsilon_\mathrm{c}$ 是交叉现象的假象，该现象随着系统尺寸趋于无穷大而对数收敛于零。