利用非共振X射线发射确定总X射线吸收系数
强关联电子
2012-01-06 v2 材料科学
摘要
最近开发了一种称为逆偏荧光产额（IPFY）的X射线吸收谱（XAS）替代测量方法，该方法既具有体敏感性又无饱和效应。在此我们表明，IPFY的角度依赖性可以提供一种与总X射线吸收系数直接成正比的测量。相比之下，荧光产额（FY）和电子产额（EY）谱会因未知且难以测量的量而偏离和/或发生畸变。此外，通过在非共振发射能量处对进行缩放，我们的测量可以在无自由参数的情况下以绝对单位确定。我们通过对NiO和NdGaO的测量证明了这一技术。确定跨越边阶的使得XAS能够用作材料成分的无损测量。在NdGaO中，我们还展示了IPFY对绝缘样品的实用性，其中由于样品充电和自吸收效应，EY和FY分别无法提供可靠的谱图。
引用
@article{arxiv.1104.0259,
title = {Determination of total x-ray absorption coefficient using non-resonant x-ray emission},
author = {A. J. Achkar and T. Z. Regier and E. J. Monkman and K. M. Shen and D. G. Hawthorn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.0259},
year = {2012}
}
备注
17 pages, 5 figures