基于 STXM 的差分电子产额成像
材料科学
2020-09-29 v1 仪器与探测器
摘要
总电子产额（TEY）成像是一种成熟的扫描透射 X 射线显微镜（STXM）技术，其对比度随样品的几何形状、元素组成和电导率而变化。然而，TEY-STXM 信号仅由光束从样品中射出的电子决定。一种相关技术——X 射线束感应电流（XBIC）成像，可分别灵敏探测电子和空穴，但需要在样品中存在电场。在此我们报道，多电极器件可被连接以产生差分电子产额（DEY）对比度，该对比度同样可分别灵敏探测电子和空穴，且不需要电场。根据聚焦 STXM 光束照射的区域是更好地连接到某一电极还是另一电极，DEY-STXM 对比度会改变符号。因此，DEY-STXM 图像提供了器件连接性分布的生动图谱，这对于理解器件功能与失效至关重要。为展示在失效分析领域的应用，我们对一条经大电流密度应力后失效的、光刻定义的 100 nm 铝纳米线进行了成像。
引用
@article{arxiv.2009.13042,
title = {Differential electron yield imaging with STXM},
author = {William A. Hubbard and Jared J. Lodico and Xin Yi Ling and Brian Zutter and Young-Sang Yu and David Shapiro and B. C. Regan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.13042},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 6 figures