反偏荧光产额在电池材料电子结构研究中的应用
材料科学
2012-05-11 v1 强关联电子
摘要
X射线吸收光谱（XAS）是研究材料电子结构与空间结构最广泛使用的实验技术之一。荧光产额模式具有体相敏感性，但存在由饱和效应带来的若干严重问题。本研究展示了偏荧光产额在解决这些问题中的有效性。我们讨论了La2NiMnO6和LiMnO2在Mn 2p吸收边的不同行为。由于缺乏高Z（Z：原子序数）元素，总荧光产额对LiMnO2产生了误导性的光谱。我们得出结论，反偏荧光产额的测量在研究备受争议的锂离子电池材料LiMnO2中是必不可少的。
引用
@article{arxiv.1201.0828,
title = {Utility of the inverse partial fluorescence for electronic structure studies of battery materials},
author = {H. Wadati and A. J. Achkar and D. G. Hawthorn and T. Z. Regier and M. P. Singh and K. D. Truong and P. Fournier and G. Chen and T. Mizokawa and G. A. Sawatzky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.0828},
year = {2012}
}
备注
3 pages, 3 figures