并五苯等聚乙炔中陷阱填充跃迁处的电流电压特性与过剩噪声
材料科学
2018-01-09 v1 应用物理
摘要
有机半导体(并苯类)实验表明，在线性(欧姆)与二次(无陷阱空间电荷限制电流)行为之间的跃迁区电压下，电流-电压(I-V)特性出现强烈的超二次增长。类似地，在给定频率下随电压增加的过剩噪声测量显示，在强超二次 I-V 特性同时出现电流噪声相对谱密度的尖锐峰值。在此，我们根据注入载流子的场辅助陷阱俘获-去俘获过程的重要贡献来讨论这些实验的物理诠释。为此，利用由 I-V 特性确定的已填充陷阱比例来评估陷阱填充跃迁(TFT)区中的过剩噪声。我们发现模型预测与四并苯和五并苯薄膜中不同长度(范围 )的现有实验结果非常吻合。
引用
@article{arxiv.1801.02398,
title = {Current voltage characteristics and excess noise at the trap filling transition in polyacenes},
author = {J. Pousset and E. Alfinito and A. Carbone and C. Pennetta and L. Reggiani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.02398},
year = {2018}
}
备注
20 pg, 13 figures, in press