有机半导体中的 $f^{-\gamma}$ 电流涨落：渗流证据

在有机半导体中观察到的 $f^{-\gamma}$ 斜率电流噪声功率谱，已在涨落的可变程跳跃机制下得到解释。相对电流噪声功率谱密度 ${\cal S}(f)=S_I(f)/I^2$ 在欧姆区与空间电荷限制电流区之间的陷阱填充转变处展现出极大值 [Phys. Rev. Lett., {\bf 95}, 236601, 2005]。在此，我们讨论了决定从欧姆输运到空间电荷限制输运 crossover 的电子条件。这些论点进一步阐明了采用渗流涨落图像的必要性，以解释在转变处共存的绝缘相与导电相之间的竞争，在该处外部偏压的微小变化会导致涨落的剧烈效应。