石墨烯器件的电流-电压特性：Zener-Klein隧穿与缺陷的相互作用
材料科学
2015-05-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了石墨烯器件在狄拉克点附近的电流-电压特性（I-V）的理论与实验研究。I-V可用幂律描述（I ∝ V^α，其中1 < α ≤ 1.5）。迁移率越低，指数越高。这种超线性I-V被解释为Zener-Klein输运（即不同能带之间的隧穿）与缺陷散射之间相互作用的结果。令人惊讶的是，Zener-Klein隧穿因缺陷的存在而变得可见。
引用
@article{arxiv.1003.2072,
title = {Current-voltage characteristics of graphene devices: interplay between Zener-Klein tunneling and defects},
author = {Niels Vandecasteele and Amelia Barreiro and Michele Lazzeri and Adrian Bachtold and Francesco Mauri},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.2072},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures