HfO{2-x}薄膜中受控氧空位诱导的p型导电性
材料科学
2011-11-14 v1
摘要
我们利用反应分子束外延，通过受控氧工程合成了高度缺氧的HfO_{2-x}薄膜。超过氧空位的某个阈值后，p型导电性开始出现，载流子浓度高达6×10²¹ cm⁻³。同时，带隙连续减小超过1 eV。我们认为，氧空位诱导的p型缺陷带是所观察到行为的起源。
引用
@article{arxiv.1111.2785,
title = {Controlled oxygen vacancy induced p-type conductivity in HfO{2-x} thin films},
author = {Erwin Hildebrandt and Jose Kurian and Mathis M. Müller and Thomas Schroeder and Hans-Joachim Kleebe and Lambert Alff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.2785},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 3 figures