La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$中顶氧空位的选择性形成

高临界温度（高-\tc）材料的超导性质是载流子浓度的函数，而载流子浓度由包括异价阳离子、间隙氧离子和氧空位在内的缺陷浓度所控制。本文结合La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$外延薄膜的低温热处理与共焦拉曼光谱，来控制并研究氧空位。我们证明，在低温退火条件下，顶位是最有利于容纳氧空位的位置。此外，我们表明在过掺杂La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_{4}$的高质量薄膜中，氧空位强烈畸变了铜离子周围的氧环境。该观察结果与先前的缺陷化学研究一致，并呼吁对空穴掺杂镧铜氧化物过掺杂区中缺陷诱导性质进行进一步研究。