T'结构电子掺杂铜氧化物中的微观退火过程及其对超导电性的影响
超导电性
2007-05-23 v1 强关联电子
摘要
当空穴或电子被掺杂到其绝缘母体化合物的CuO2面中时，铜氧化物中会出现高温超导电性。虽然空穴掺杂在许多铜氧化物中能迅速诱导金属行为和超导电性，但在R2CuO4（R为Nd、Pr、La、Ce等）等材料中，仅靠电子掺杂是不够的，必须在低氧环境中对生长态样品进行退火以去除微量氧，才能诱导超导电性。在这里，我们表明氧还原的微观过程修复了生长态材料中的铜缺陷，并在化学计量比的CuO2面中产生氧空位，有效减少了无序度，并为超导电性提供了巡游载流子。这一长期材料问题的解决表明，电子掺杂和空穴掺杂铜氧化物的超导电性基本机制是相同的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701345,
title = {Microscopic annealing process and its impact on superconductivity in T'-structure electron-doped copper oxides},
author = {Hye Jung Kang and Pengcheng Dai and Branton J. Campbell and Peter J. Chupas and Stephan Rosenkranz and Peter L. Lee and Qingzhen Huang and Shiliang Li and Seiki Komiya and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701345},
year = {2007}
}
备注
23 pages, 3 figures, accepted for publication in Nature Materials