Ba$_{2}$CuO$_{4-\delta}$和 La$_{2}$CuO$_{4-\delta}$中顶位与平面氧空位导致的掺杂差异

针对具有不同氧空位分布和浓度的 Ba$_{2}$CuO$_{4-\delta}$和 La$_{2}$CuO$_{4-\delta}$大超胞进行的第一性原理能带结构计算表明，铜位点的有效掺杂强烈依赖于空位的位置。位于 Cu 层内的空位产生较弱的掺杂效应，而位于顶位氧位点的空位则对铜层起到更强的电子掺杂作用，并逐渐使电子结构接近 La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_{4}$。这些效应十分稳健，仅微弱依赖于晶格畸变。我们的结果表明，脱氧可降低传统 La/Sr 或 La/Nd 取代的效果。本研究明确指出了掺杂剂在晶体结构中的位置是铜酸盐平面掺杂的一个重要因素。