La2-xSrxCuO4中名义掺杂及掺杂空穴在平面轨道与腔轨道之间的分区
超导电性
2007-05-23 v2
摘要
通过考虑从Neutron粉冶衍射数据中Rietveld细化得到的平均结构参数，以及来自原子对分布函数中得到的局部结构参数，我们测试了Perry等人[Perry等，Phys. Rev. B v.65, 144501 (2002)]最近的假设，该假设认为La2-xSrxCuO4系统中的掺杂以Cud3z^2-r^2--Opz特征的局部缺陷形式出现，与Sr掺杂剂相关联，并伴随局部破坏Jahn-Teller畸变。虽然结构参数按照该模型的预测呈现出qualitative行为，但定量分析表明，掺杂空穴主要出现在平面Cudx^2-y^2--Opx,y带中，这正是通常假设的那样。然而，一小部分掺杂电荷会进入Cud3z^2-r^2--Opz轨道，这在理论相图与实验比较时需要考虑。我们给出了La2-xSrxCuO4系统中平面掺杂浓度p与Sr含量x的校准曲线：p = x (1.00(1) - 0.45(7) x)。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302062,
title = {Nominal doping and partition of doped holes between planar and apical orbitals in La2-xSrxCuO4},
author = {E. S. Bozin and S. J. L. Billinge},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302062},
year = {2007}
}
备注
6 pages, 4 figures, submitted to Phys. Rev. B