铜氧化物超导体中氧有序的演化与控制
超导电性
2011-08-23 v1
摘要
金属氧化物中缺陷的配置是一个关键属性，被广泛应用于从燃料电池、催化剂到超导器件和忆阻器等领域。最典型的缺陷是可移动的过量氧和氧空位，它们可以通过各种热处理方案以及光和直流电场进行操控。在此，我们报道了在超氧化的层状铜氧化物 La2CuO4+y 中，通过 X 射线写入高质量超导区域，这些区域源于缺陷有序化。对通过快速热淬火制备的不良超导体进行辐照，首先导致有序区域的生长，超导电性的增强只有在等待一段时间后才变得可见，这与其他系统（如铁电体）的特征相似，在这些系统中，应变必须被容纳才能使有序得以扩展。然而，在 La2CuO4+y 中，我们能够解析（氧）插层有序生长的所有方面，包括有序区域各向异性从低到高再回到低的非凡演变。我们还能清晰地将高质量超导电性的开始与二维缺陷有序化联系起来。使用小光束的额外实验展示了一种无需光刻胶、单步写入功能材料的策略。
引用
@article{arxiv.1108.4120,
title = {Evolution and Control of Oxygen Order in a Cuprate Superconductor},
author = {Nicola Poccia and Michela Fratini and Alessandro Ricci and Gaetano Campi and Luisa Barba and Alessandra Vittorini-Orgeas and Ginestra Bianconi and Gabriel Aeppli and Antonio Bianconi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.4120},
year = {2011}
}
备注
12 pages, 3 figures