过掺杂 (Bi,Pb)$_2$Sr$_2$CuO$_{6+x}$ 超导体中电荷序与拓扑缺陷的可视化
超导电性
2019-10-18 v1 强关联电子
摘要
电子电荷序是高- 铜基超导体中的对称性破缺态。在扫描隧穿显微镜中，探测到的电荷序诱导调制是电荷序的电子响应。对于一个过掺杂 (Bi,Pb)SrCuO 样品，我们应用扫描隧穿显微镜探究电荷序的局域性质。有序波矢不随能量色散，这可被确认与确定。通过提取其序参量场，我们辨识出电子调制条纹结构中的位错，其对应于卷绕数为 的整数拓扑缺陷。借助一系列降低能量下的微分电导图，观察到电荷序不同响应的演化并探测到拓扑缺陷的空间演化。电荷序诱导调制的强度随能量增加，并在接近赝能隙能量时达到最大。在此演化中，拓扑缺陷密度降低并在空间中迁移。此外，我们观察到随能量变化而出现的紧密间距缺陷对的生成与消失。我们的实验结果可启发对高- 铜基超导体及其他电荷密度波材料中电荷序的进一步研究。
引用
@article{arxiv.1907.07397,
title = {Visualizing the charge order and topological defects in an overdoped (Bi,Pb)$_2$Sr$_2$CuO$_{6+x}$ superconductor},
author = {Ying Fei and Yuan Zheng and Kunliang Bu and Wenhao Zhang and Ying Ding and Xingjiang Zhou and Yi Yin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.07397},
year = {2019}
}
备注
27 pages, 14 figures. Accepted by SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy