反应分子束外延生长的氧工程化 HfO$_{2\pm x}$ 的物理性质与能带结构
材料科学
2015-06-12 v1
摘要
我们对通过反应分子束外延 (MBE) 生长的氧工程化单斜晶系 HfO 进行了详细的薄膜生长结构研究。氧化条件诱导了氧化铪在 () 和 (002) 织构之间的切换。随着氧空位数量的增加，缺氧化铪的带隙减小了超过 1 eV。对于高浓度的氧空位，带隙内会形成缺陷能带，从而引发光学跃迁并导致 型导电性。电阻率随氧化条件的变化而改变数个数量级。氧空位并未引起铁磁行为。
引用
@article{arxiv.1211.5215,
title = {Physical properties and band structure of reactive molecular beam epitaxy grown oxygen engineered HfO$_{2\pm x}$},
author = {Erwin Hildebrandt and Jose Kurian and Lambert Alff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.5215},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 15 figures