对“Floquet 分数量子陈绝缘体”的评论

在最近的一篇论文 [Phys. Rev. Lett. 112 156801 (2014)] 中，Grushin 等人研究了一个位于蜂窝晶格上、与外部极化电场耦合的自旋电子费米-哈伯德模型。通过微扰计算 Floquet 哈密顿量至 $\omega^{-1}$ 阶（其中 $\omega$ 是驱动频率），他们预测，对于特定的驱动和填充值，系统可以转变为分数量子陈绝缘体。在这篇评论中，我们指出：i) Floquet 哈密顿量的计算遗漏了一些 $\omega^{-1}$ 阶的项；ii) Floquet 能带像时间无关系统中那样被填充的假设是值得商榷的。