对“关于‘Floquet 分数量子陈绝缘体’的评论”的回复
强关联电子
2015-03-10 v1
摘要
我们回应 L. D'Alessio 在 arXiv:1412.3481 中对我们的工作“Floquet 分数量子陈绝缘体”[Phys. Rev. Lett. 112, 156801 (2014)] 所提出的评论。我们确认核心结果：有效哈密顿量的基态是一个相互作用的分数量子陈绝缘体。
引用
@article{arxiv.1503.02580,
title = {Reply to "Comment on `Floquet Fractional Chern Insulators'"},
author = {Adolfo G. Grushin and Álvaro Gómez-León and Titus Neupert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.02580},
year = {2015}
}
备注
2 Pages, 2 figures. Reply to comment arXiv:1412.3481