充电能量效应对单边任意子编织探测器的影响

我们研究了电容耦合对分数量子霍尔效应区实现的单边干涉仪中任意子编织探测的影响。在该设置中，一个量子点接触将单边弯曲成一个环路，隧穿发生在开口端并由QPC电压控制。与先前研究的双边几何结构相比，弱背散射区域由一阶微扰项主导，使得量子输运量可以分解为一个非普适的前因子和一个编织诱导的贡献，后者直接提供了对普适统计角πλ的访问。虽然先前的分析忽略了边间电容，但我们表明，已知在介观电容器中起关键作用的电容效应会同时改变电流和电流互相关。使用由戴森方程增强的两点格林函数形式来包含充电能量，我们量化了互相关涨落如何同时依赖于λ和环路电容。我们的结果表明，可靠提取统计角需要并行测量环路电容，这可以通过耦合到结的带电栅极来实现。