霍尔棒两侧量子霍尔边缘通道间的耦合
强关联电子
2018-12-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们通过在一条50微米宽霍尔棒的一侧边缘通道中激发带电波包，并在另一侧边缘通道中探测随时间变化的电流，研究了位于霍尔棒两侧的量子霍尔（QH）边缘通道（ECs）之间的耦合。在QH态中，电流呈现先峰后谷的特征，证明了不可压缩二维电子系统（2DES）存在跨空间的电容耦合。观测到的电流振幅和时间延迟的磁场依赖性表明，该电容受局域态存在的影响。我们还表明，随着系统在QH态与非QH态之间转变，耦合的主导方式逐渐发生变化。
引用
@article{arxiv.1812.01271,
title = {Coupling between Quantum Hall Edge Channels on Opposite Sides of a Hall Bar},
author = {Ngoc Han Tu and Masayuki Hashisaka and Takeshi Ota and Yoshiaki Sekine and Koji Muraki and Toshimasa Fujisawa and Norio Kumada},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.01271},
year = {2018}
}