PbTe 宽抛物量子阱中量子霍尔效应的淬灭
材料科学
2008-02-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们表明，对于多谷宿主半导体的情形，与边缘通道（EC）相关的非局域行为在量子霍尔效应（QHE）已被淬灭的三维区域中也能持续存在。我们证明，QHE 被由接触臂中边缘通道背散射引起的电导涨落所取代，这导致耗散体电子系统与耗散较小的边缘通道系统之间的电流重新分布出现涨落。这两个电子系统位于能带结构的不同谷中。Rxx 随磁场的线性增加可由霍尔条中的边缘通道背散射来解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9707170,
title = {Quenching of the Quantum Hall Effect in PbTe Wide Parabolic Quantum Wells},
author = {J. Oswald and G. Heigl and G. Span and A. Homer and P. Ganitzer and D. K. Maude and J. C. Portal},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9707170},
year = {2008}
}
备注
postscript file including 2 figs, 4 pages, Paper presented at ICPS-XXIII, Berlin 1996