铝栅硅单电子器件中的电荷偏移稳定性
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1
摘要
我们报告了采用铝（Al）栅定义的硅单电子器件（SEDs）中的电荷偏移漂移（时间稳定性）。电荷偏移漂移的大小（0.15 ）介于 Al/AlO/Al 隧道结（大于 1 ）与硅栅定义的硅 SEDs（0.01 ）之间。这一数值范围表明，AlO 中的缺陷是造成电荷偏移漂移不稳定性的主要原因。
引用
@article{arxiv.1406.7475,
title = {Charge Offset Stability in Si Single Electron Devices with Al Gates},
author = {Neil M. Zimmerman and Chih-Hwan Yang and Nai Shyan Lai and Wee Han Lim and Andrew S. Dzurak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.7475},
year = {2015}
}