使用低温晶圆探针台对超导集成电路制造工艺进行晶圆级表征
超导电性
2023-02-03 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
使用全自动低温晶圆探针台,我们在 4.4 K 下测量了 200 mm 晶圆上的超导制造工艺控制监测结构和简单集成电路,包括基于 SQIF 的磁场传感器、用于测量电感的基于 SQUID 的电路、Nb/Al-AlOx/Nb Josephson 结、用于测量超导导线和通孔临界电流的测试结构、电阻器等,以证明使用该系统中在晶圆级表征铌超导器件和集成电路的可行性。给出了残余磁场、结隧穿电阻、能隙、多层铌电感、层间通孔临界电流的晶圆级分布数据。并与现有模型进行了比较。这些晶圆采用 SFQ5ee 工艺制造,该工艺为 MIT Lincoln Laboratory 为超导电子学开发的具有八层铌层和一层动力学电感器的全平面化工艺。该低温晶圆探针台由 HPD/FormFactor, Inc. 开发。
引用
@article{arxiv.2112.00705,
title = {Wafer-Scale Characterization of a Superconductor Integrated Circuit Fabrication Process, Using a Cryogenic Wafer Prober},
author = {Joshua T. West and Arthur Kurlej and Alex Wynn and Chad Rogers and Mark A. Gouker and Sergey K. Tolpygo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.00705},
year = {2023}
}
备注
11 pages, 11 figures, 1 table, 27 references