InAs/GaSb/InAs 三层量子阱中量子散射时间的电压调控
介观与纳米尺度物理
2023-03-15 v1
摘要
我们研究了基于 InAs/GaSb/InAs 三层量子阱的拓扑绝缘体中通过栅电压训练实现的量子散射时间的演化。根据栅电压扫描周期中所施加的最小栅电压，量子散射时间可从 0.08 ps 改善 50% 至 0.12 ps，尽管输运散射时间在约 1.0 ps 处相当恒定。量子散射时间与输运散射时间的比值随载流子密度线性变化，并从 10 变化到 30，表明库仑散射是主导散射机制。我们的发现可能有助于改善剩余体电导问题，并有助于在基于 InAs/GaSb 量子阱异质结构的拓扑绝缘体中观察到螺旋边缘通道，即使对于宏观器件也是如此。
引用
@article{arxiv.2205.04828,
title = {Voltage control of the quantum scattering time in InAs/GaSb/InAs trilayer quantum wells},
author = {M. Meyer and S. Schmid and F. Jabeen and G. Bastard and F. Hartmann and S. Höfling},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.04828},
year = {2023}
}