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具有真实量子化物理的虚拓扑绝缘体

强关联电子 2015-07-14 v3

摘要

本文提出一种具体策略,用于在 d+dd+d' 维中生成强拓扑绝缘体,其在 dd 维具有量子化物理。此处,dd 计物理维度,dd' 计虚维度。该策略在于寻求算子代数的 dd 维表示,这些代数通常定义于 d+dd+d' 维,其中拓扑要素展现强拓扑不变量。然而,这些不变量被证明完全由物理维度决定,意即其测量可在固定虚坐标下进行。我们解决了体-边对应问题,并表明边界不变量也完全由物理坐标决定。我们分析了 Ref.~\cite{KrausPRL2012hh} 中实现的 (1+1)(1+1) 维虚陈绝缘体,并预言了边缘处的量子化力。我们生成了一个新颖的 (3+1)(3+1) 维拓扑系统,预言其具有量子化磁电响应。

关键词

引用

@article{arxiv.1503.04757,
  title  = {Virtual Topological Insulators with Real Quantized Physics},
  author = {Emil Prodan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1503.04757},
  year   = {2015}
}

备注

Proof that the invariants can be computed at fixed virtual coordinate is included