二硫化钼的独特形貌：片层、扩散限制簇聚集体与分形，通过 Langmuir-Blodgett 组装用于先进电子器件
材料科学
2017-01-11 v1
摘要
借助 Langmuir-Blodgett (LB) 技术在液/气界面上，通过二硫化钼 (MoS2) 剥离薄片的自组装，制备了多种不同的形貌。MoS2 薄片在各种溶剂中进行化学剥离，但仅在二甲基甲酰胺剥离的薄片情况下实现了在基底上稳定的片层状组装。单层片的密度由表面压力精细控制，而 MoS2 LB 膜在水亚相上的稳定化导致其自组装成扩散限制簇聚集体和分形。我们进一步展示了激发对 LB 组装 MoS2 片层发光的影响，揭示了除 1.86 eV 直接带隙发射外，存在对应于 2.43 eV 的新激子。最后，在 SiO2/Si 上制备了场效应晶体管，获得了 7.4 cm2V-1s-1 的迁移率和 10^5 的电流开关比。该工作为溶液加工剥离薄片的大规模系统沉积以及自然形成图案结构提供了新方法。
引用
@article{arxiv.1701.02476,
title = {Unique Morphologies of Molybdenum Disulphide: Sheets, Diffusion Limited Cluster Aggregates and Fractals, by Langmuir- Blodgett Assembly for Advanced Electronics},
author = {Harneet Kaur and Ved Varun Agrawal and Ritu Srivastava},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.02476},
year = {2017}
}
备注
24 pages, 6 figures