基于Langmuir-Blodgett组装的大面积半导体性磷烯制备
材料科学
2016-10-14 v3 介观与纳米尺度物理
软凝聚态物质
摘要
尽管已开发大量基于溶剂的方法剥离黑磷，但迄今为止尚无关于在基底上可控组装这些剥离纳米片的报道。据我们所知，本文首次采用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)与脱氧水的混合物作为Langmuir Blodgett (LB)槽中的亚相来组装纳米片，随后将其沉积在基底上，并研究了其场效应晶体管(FET)特性。电子显微镜揭示存在致密排列、结晶、超薄的本征磷烯片层，其横向尺寸大于数百微米。此外，这些组装的纳米片保留了其电子特性，并在FET器件中于室温下展现出10^4的高电流调制比。所提出的技术提供了适用于大面积应用的半导体性磷烯薄膜。
引用
@article{arxiv.1605.00875,
title = {Large Area Fabrication of Semiconducting Phosphorene by Langmuir Blodgett Assembly},
author = {Harneet Kaur and Sandeep Yadav and A. K. Srivastava and Nidhi Singh and Jorg J. Schneider and O. P. Sinha and Ved Varun Agrawal and Ritu Srivastava},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.00875},
year = {2016}
}
备注
19 pages, 4 figures in main paper, 7 supporting figures