氮化硼上石墨烯的太赫兹电导率
介观与纳米尺度物理
2015-10-14 v1
摘要
氮化硼衬底上石墨烯的电导率在太赫兹(THz)和红外(IR)频率区间表现出特征，这些特征与弱耦合二维材料形成的周期性莫尔图样相关。当两种蜂窝晶格取向对齐时，THz和IR特征最强，并且除非费米能级相对于石墨烯狄拉克点接近 meV，否则发生泡利阻塞。由于在狄拉克点上方形成的莫尔带之间的跃迁能量较小，n掺杂石墨烯中的交流导电率特征往往被德鲁德峰淹没。然而，衬底诱导的能带分裂在狄拉克点下方的能量处更大，并能在p掺杂石墨烯的THz和IR频率处导致尖锐特征。在本快报中，我们聚焦于最强的几个THz和IR特征，解释它们如何源于莫尔带联合态密度中的临界点，并评论它们起作用的费米能区间。
引用
@article{arxiv.1507.01834,
title = {THz conductivity of graphene on boron nitride},
author = {Ashley M. DaSilva and Jeil Jung and Shaffique Adam and Allan H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.01834},
year = {2015}
}