门控石墨烯在太赫兹频率下的高场响应
介观与纳米尺度物理
2016-01-20 v1 材料科学
摘要
我们研究了转移到蓝宝石和石英衬底上的门控多层和单层石墨烯的非线性太赫兹(THz)透射的费米能级依赖性。这两个样品分别代表了低场杂质散射的两个极限：短程中性杂质散射和长程带电杂质散射。我们观察到由于带内吸收漂白，当场振幅增加到超过8 kV/cm时透射增加。该效应源于场诱导的太赫兹电导率降低，且强烈依赖于费米能级。我们使用包含中性和带电杂质散射以及光学声子散射的自由载流子Drude模型来解释带内吸收。我们发现尽管单层和五层样品中的费米能级依赖性截然不同，但两者都表现出对场振幅的强烈依赖，这不能单独用晶格温度的增加来解释。我们的结果加深了对在太赫兹频率下工作且存在非线性处的适中kV/cm场强中的石墨烯器件输运的理解。
引用
@article{arxiv.1508.00624,
title = {High field response of gated graphene at THz frequencies},
author = {Hadi Razavipour and Hassan A. Hafez and Ibraheem Al-Naib and Wayne Yang and Pierre Lévesque and Abdeladim Guermoune and Francois Blanchard and Xin Chai and Denis Ferachou and Richard Martel and Michael Hilke and Marc M. Dignam and Tsuneyuki Ozaki and David G. Cooke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.00624},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 8 figures